南开新闻网讯（通讯员 齐晟跃 董悦）为拓宽学生学术视野、培养创新人才，深化学院本科生电子信息类特色班特色建设。南开大学电子信息与光学工程学院2024级电子信息类特色班赴北京开展拔尖创新人才培养研学实践。学院副院长王维华教授、特色班班导师赵迎新副教授、专业教师代表洪培真副教授、本科教学办干事耿丽娟老师、团委书记董悦老师带队，先后访问北京大学集成电路学院、北京超弦存储器研究院，通过专题报告、学术研讨、实地参观等形式深化交流，助力拔尖创新人才培养。
研学团首站抵达北京大学集成电路学院微纳电子大厦。北京大学集成电路学院院长助理崔健老师为师生详细介绍学院发展历程、平台基地、科研方向与组织架构、学科建设、科研成果等方面内容。师生深刻感受北京大学集成电路学院的创新氛围与学科研究特色。在中国微米纳米技术学会副理事长、北京大学集成电路学院张大成教授的带领下，师生共同参观北京大学微电子工艺实验室，张教授深入讲解了实验室的核心建设理念以及研发能力，帮助师生深入了解超净工艺平台建设的重点、难点，并分享了北京大学集成电路学院多年积累的工艺装备与研发成果。
参观后，张教授以“‘能’与‘不能’—不同于传统制造的硅（微纳）工艺”为题，为师生开展微纳加工工艺技术讲座。张教授详细讲解在工艺摸索和器件制备过程中存在诸多不可预见的影响因素，强调科研工作要逐一排查、突破瓶颈，这正是工艺技术的魅力所在。他强调，物理原理并不构成目前工艺技术的绝对限制，在实际研发中，科学家往往凭借创新思维“突破”物理极限。张教授还系统介绍了微纳工艺在存储、逻辑、传感等传统领域和驱动、发电等非传统领域的应用，极大拓展了同学们对技术边界的想象，为未来的科研探索注入新思路。
当天下午，师生赴北京超弦存储器研究院研学参观。该院致力于推动存储器领域的技术创新和人才培养。研究院的研究方向集中于随机动态存储器（DRAM）存储器的架构、材料、工艺等领域的创新，面向未来世界技术发展路线图开展系统的技术路径探索和关键技术研发。活动中，工作人员详细介绍了光刻、刻蚀、薄膜沉积、晶圆清洗等芯片制造关键工艺的实际流程，并指导同学们规范穿戴防护服，近距离观摩实验设备，使课本中的理论知识变得可触可感。
通过此次实地参访，同学们不仅系统扩展了对集成电路研发制造全流程的认知，也更加深切体会到从理论创新走向工程实践所必需的严谨态度与技术积淀。目前，电光学院为大力培养具有创新精神和实践能力的复合型人才，以“光电融合卓越班”“电子信息类特色班”建设为标杆，通过优化教学资源配置、加强产学研教协同育人等特色做法，稳步实施拔尖创新人才培养质量提升行动，不断筑牢光电强国、教育强国建设的人才根基。
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